单光子传感器，也称为单光子检测器（SPD），可以是准确可见的，并且可以用作光子数量计算机（PQC）上数量或Quubits的信息。 PQC是基于有望达到高度测量系统并在室温下运行的计算量（MBQC）的测量值。本文指出：PQC计算不使用门，而是依赖于高音量状态的局部维度（称为群集状态）。它需要一个光子传感器。除了在室温下运行外，计算PQC的实现更易于实施。单光子传感器支持各种PQC操作，包括删除相关的光子以证明其刺激性状态。读取专用于光子的Quubit的数量。使用传送量和绑定的光子在吉布斯之间发送信息。 PQC研究人员的一个主要挑战是D可以在室温下运行的单光子检测器的探测。超导纳米线单光子检测器（SNSPD）是当今最常见的检测器，因为其效率很高和敏感性。还使用了雪崩光电二极管（APD）。 APD可能在室温下运行，但大多数APD缺乏PQC应用所需的灵敏度。已经完成了生产新的APD技术以在维持室温的同时提高性能的新技术。典型的SNSSPD的框图如图1所示。降低光子的磁体隆隆（衰减器）控制平均光子数量，并且需要一个低温冷却器来支持单光子发现。在SNSSPD的输出侧，偏见器将直流偏置电流传递到设备，然后将AC信号从设备传递到放大器，从而将结果送入光子计数器。图1。阻止典型SNSPD的图。 。发生没有光子），低于5 ps的小抖动（差异 - 不同的tIME到达光子后记录光子检测器），并且非常快10 ps的重置时间（正在进行的光子检测事件之间滞后）。已显示出正常的入射硅锗（GESI）单光雪崩光电二极管（SPAD）在300 K下运行。预计使用短波红外（SWIR）光子支持PQC室的温度。该设备将优化用于Integration in Photonic Integrated电路（PIC），并旨在支持下一代PQC。 SPAD使用基于硅晶片的硅在绝缘子（SOI）和基于硅（GOS）技术。通常用于硅光子学（SIPH）设备，以实现与制造兼容性的互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容性。 300 K处的波导GESI SPAD和4K处的SNSPD。波导GESI SPAD具有简单的结构，如图2所示，可以使用自上而下或自下而上的过程产生。无论哪种情况，后玻璃都是由氧化物蚀刻到在波导GESI SPAD的末端形成沟渠，然后将Al沉积和构图为后玻璃。图2。波导GESI SPAD结构和材料的温度。 。 SPD支持发现实施PQC所需信息的数量，阅读和消耗。目前，基于NBN的SNSPD具有高性能，但应在低于4 K的温度下运行。GESISPADS室与SIPH设备兼容，并在低SNSPD温度下提供可比性的性能。
